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J-GLOBAL ID：200902216735023076   Reference number：03A0339450

Effect of low-temperature annealing on (Ga,Mn)As trilayer structures

(Ga,Mn)As三層構造に及ぼす低温アニーリングの効果

Author (4)： CHIBA D (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAMURA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUKURA F (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 82  Issue： 18  Page： 3020-3022  Publication year： May. 05, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium compound ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P)

Terms in the title (5)： Ga ,  Mn ,  層構造 ,  低温 ,  アニーリング