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J-GLOBAL ID：200902217127059587   Reference number：04A0484132

Effects of biexcitons on exciton decoherence processes in In_xGa_1-xAs quantum dots

In_xGa_1-xAs量子ドットにおける励起子デコヒーレンス過程に対する励起子分子効果

Author (5)： GOTOH H (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAMADA H (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAITOH T (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ANDO H (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  TEMMYO J (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 69  Issue： 15  Page： 155328.1-155328.8  Publication year： Apr. 2004 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Excitons  (BM02120E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： XAS ,  量子ドット ,  励起子 ,  デコヒーレンス ,  過程 ,  励起子分子