Art

J-GLOBAL ID：200902217404383095   Reference number：04A0003019

Formation of titanium silicide thin films on Si(100) substrate by RF plasma CVD

高周波プラズマCVDによるSi(100)基板上へのけい化チタン薄膜の形成

Author (5)： FOUAD O A (Saga Univ., Saga, JPN) ,  YAMAZATO M (Saga Univ., Saga, JPN) ,  HIROSHI A (Saga Univ., Saga, JPN) ,  ERA M (Saga Univ., Saga, JPN) ,  NAGANO M (Saga Univ., Saga, JPN)
Material： Surface & Coatings Technology  (Surf Coat Technol)
Volume： 169/170  Page： 632-635  Publication year： Jun. 02, 2003 
JST Material Number： D0205C  ISSN： 0257-8972  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma CVD ,...
Semi thesaurus term： step coverage

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0003019&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0205C") }}

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： 高周波 ,  プラズマCVD ,  Si ,  けい化 ,  チタン薄膜