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J-GLOBAL ID：200902217847103346   Reference number：07A1160072

X-ray absorption and diffraction study of II-VI dilute oxide semiconductor alloy epilayers

II-VI希薄酸化物半導体合金エピレイアーのX線吸収・回折研究

Author (10)： BOSCHERINI F (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  MALVESTUTO M (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  CIATTO G (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  D'ACAPITO F (OGG-INFM-CNR, Grenoble, FRA) ,  BISOGNIN G (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  DE SALVADOR D (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  BERTI M (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  FELICI M (Univ. Rome ‘La Sapienza’, Rome, ITA) ,  POLIMENI A (Univ. Rome ‘La Sapienza’, Rome, ITA) ,  NABETANI Y (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
Material： Journal of Physics. Condensed Matter  (J Phys Condens Matter)
Volume： 19  Issue： 44  Page： 446201,1-12  Publication year： Nov. 07, 2007 
JST Material Number： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor ,...

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JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： 酸化物半導体 ,  合金 ,  X線吸収 ,  回折 ,  研究