Art

J-GLOBAL ID：200902218123206263   Reference number：09A0848908

A 1.1V 50mW 2.5GS/s 7b Time-Interleaved C-2C SAR ADC in 45nm LP Digital CMOS

45nm LP ディジタルCMOSによる1.1V50mW2.5GS/s 7b時間インタリーブ C-2C SAR ADC

Author (5)： ALPMAN Erkan (Intel, OR) ,  ALPMAN Erkan (Carnegie Mellon Univ., PA) ,  LAKDAWALA Hasnain (Intel, OR) ,  CARLEY L.Richard (Carnegie Mellon Univ., PA) ,  SOUMYANATH K. (Intel, OR)
Material： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (ISSCC)
Volume： 2009  Page： 83-85  Publication year： 2009 
JST Material Number： D0753A  ISSN： 0193-6530  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *AD conversion ,  *interleave ,  *CMOS structure ,  leakage current ,  resolving power ,  OFDM ,  receiver ,  wide band ,  communication system ,  digital signal processor ,  threshold ,  voltage ,  comparator ,  offset ,  *base band
Semi thesaurus term： DSP ,  ultrawide waveband ,  leakage current ,  threshold voltage

JST classification (1)： AD/DA conversion circuits  (NC05080M)

Terms in the title (6)： LP ,  ディジタル ,  CMOS ,  インタリーブ ,  SAR ,  ADC