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J-GLOBAL ID：200902218801897530   Reference number：09A0420693

MBEで作製したGaAs(001)面上低密度InAs量子ドットの室温PL特性(2)

Author (8)： SAWADO YOSHINORI (パイオニア) ,  SAWADO YOSHINORI (パイオニアマイクロテクノロジー) ,  YOSHIZAWA KATSUMI (パイオニア) ,  YOSHIZAWA KATSUMI (パイオニアマイクロテクノロジー) ,  AKAHANE KOICHI (情報通信研究機構) ,  YAMAMOTO NAOKATSU (情報通信研究機構) ,  KAWAZOE TADASHI (東大 工) ,  OTSU MOTOICHI (東大 工)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 56th  Issue： 1  Page： 361  Publication year： Mar. 30, 2009 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： MBE growth ,  gallium arsenide ,  *indium arsenide ,  *quantum dot ,  *photoluminescence ,  spectral line shift ,  *controllability ,  compound semiconductor ,  density
Semi thesaurus term： low density

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： MBE ,  作製 ,  GaAs ,  低密度 ,  InAs量子ドット ,  室温 ,  PL