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J-GLOBAL ID：200902219056235900   Reference number：05A0099033

High mobility transparent thin-film transistors with amorphous zinc tin oxide channel layer

非晶質亜鉛すず酸化物チャネル層を有する高移動度透明薄膜トランジスタ

Author (5)： CHIANG H Q (Oregon State Univ., Oregon) ,  WAGER J F (Oregon State Univ., Oregon) ,  HOFFMAN R L (Hewlett-Packard Co., Oregon) ,  JEONG J (Oregon State Univ., Oregon) ,  KESZLER D A (Oregon State Univ., Oregon)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 1  Page： 013503.1-013503.3  Publication year： Jan. 03, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,...
Semi thesaurus term： ITO(solid solution) ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： 非晶質 ,  亜鉛 ,  すず酸化物 ,  チャネル層 ,  高移動度 ,  薄膜トランジスタ