陽極酸化法で作製したシリコン酸化膜の特性

WATANABE RYUTA; SHIBATA TETSUYA; SHINGAKI HISASHI; FUJITA AKIYOSHI; TAKAHASHI YOSHIHIRO; ONISHI KAZUYOSHI

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J-GLOBAL ID：200902219619958520 Reference number：04A0344173

陽極酸化法で作製したシリコン酸化膜の特性

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Volume： 51st Issue： 2 Page： 845 Publication year： Mar. 28, 2004
JST Material Number： Y0054A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Electric conduction in other inorganic compounds , Oxide thin films

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