Art

J-GLOBAL ID：200902220411112430   Reference number：08A0246776

Integrated circuits made of silicon single-electron devices

単電子デバイスを用いたSi集積回路

Author (1)： TAKAHASHI YASUO (北大 大学院情報科学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 77  Issue： 3  Page： 281-285  Publication year： Mar. 10, 2008 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *integrated circuit ,  *electron ,  MOSFET ,  *semiconductor device ,  memory(computer) ,  logic circuit ,  sequence and arrangement
Semi thesaurus term： *単一電子 ,  memory

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (19)：

• FULTON, T. A. Phys. Rev. Lett. 1987, 59, 109
• YANO, K. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D.C., 1993. 1993, 541
• TAKAHASHI, Y. Electron. Lett. 1995, 31, 136
• TAKAHASHI, Y. J. Phys. Condens. Matter. 2002, 14, R995
• KOBAYASHI, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 24

Terms in the title (3)： 単電子デバイス ,  Si ,  集積回路