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J-GLOBAL ID：200902220489693528   Reference number：03A0141645

Effect of Interfacial Structure on Organic Field Effect Transistor.

有機電界効果トランジスタの特性に及ぼす界面の影響

Author (5)： KAMATA TOSHIHIDE (産業技術総合研 光技術研究部門) ,  YOSHIDA MANABU (産業技術総合研 光技術研究部門) ,  KOZASA TAKEHITO (産業技術総合研 光技術研究部門) ,  MATSUZAWA MAKOTO (東京理大 工) ,  KAWAI TAKESHI (東京理大 工)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 24  Issue： 2  Page： 69-76  Publication year： Feb. 10, 2003 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (14)：

• 1) C.D. Dimitrakopoulous and D.J. Mascaro: IBM J. Res. Dev. 45, 11 (2001).
• 2) L. Torsi, N. Cioffi, C. Di Franco, L. Sabbatini, P.G. Zambonin and T. Bleve-Zacheo: Solid State Electr. 45, 1479 (2001).
• 3) G. Horowitz: Adv. Mater. 10, 365 (1998).
• 4) R.J. Hamers: Nature 412, 489 (2001).
• 5) X.L. Chen, A.J. Lovinger, Z. Bao and J. Sapjeta: Chem. Mater. 13, 1341 (2001).

Terms in the title (2)： 有機電界効果トランジスタ ,  界面