Art

J-GLOBAL ID：200902220792149890   Reference number：05A0542378

High growth rate deposition of oriented InN pillar crystals

InNの配向した柱状結晶の高成長速度の蒸着

Author (3)： TAKEMOTO Kikurou (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  TAKAHASHI Naoyuki (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  NAKAMURA Takato (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
Material： Solid State Communications  (Solid State Commun)
Volume： 134  Issue： 9  Page： 617-620  Publication year： May. 25, 2005 
JST Material Number： H0499A  ISSN： 0038-1098  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： InN ,  配向 ,  柱状結晶 ,  成長速度 ,  蒸着