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J-GLOBAL ID：200902221481306246   Reference number：03A0761884

Phase Manipulation between c(4×2) and p(2×2) on the Si(100) Surface at 4.2K.

4.2KのSi(100)表面上のc(4×2)とp(2×2)の間の相操作

Author (3)： SAGISAKA K (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  FUJITA D (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  KIDO G (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 91  Issue： 14  Page： 146103.1-146103.4  Publication year： Oct. 03, 2003 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (1)： Si