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J-GLOBAL ID：200902221894081307   Reference number：07A0351082

Characteristics of Field Effect Transistors based on Fullerene Derivatives

フラーレン誘導体に基づいた電界効果トランジスタの特性

Author (3)： MORITA Takeomi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  KANETO Keiichi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 46  Issue： 8-11  Page： L256-L258  Publication year： Mar. 25, 2007 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： silica ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Physical properties of polymer solids  (CG02024U)

Substance index (1)： Chloroform

Reference (17)：

• SINGH, Th. B. Org. Electron. 2005, 6, 105
• AL-IBRAHIM, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 201120
• FUJII, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L1438
• PEUMANS, P. J. Appl. Phys. 2003, 93, 3693
• NAKAMURA, J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 132105

Terms in the title (2)： フラーレン誘導体 ,  電界効果トランジスタ