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J-GLOBAL ID：200902222101508778   Reference number：08A0677848

Improved resonance characteristics of GaAs beam resonators by epitaxially induced strain

エピタキシャル誘起歪みによるGaAsの梁共振器の共振特性の改善

Author (6)： YAMAGUCHI H. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  KATO K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  NAKAI Y. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  ONOMITSU K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  WARISAWA S. (Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  ISHIHARA S. (Univ. of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 25  Page： 251913  Publication year： Jun. 23, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *beam (structure) ,  *resonator ,  epitaxy ,  *buffer layer ,  semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  aluminum compound ,  indium compound ,  arsenide ,  strained semiconductor ,  aluminium indium arsenide

JST classification (1)： Resonator  (NC04050Y)

Terms in the title (7)： エピタキシャル ,  誘起 ,  歪み ,  GaAs ,  梁 ,  共振器 ,  共振特性