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J-GLOBAL ID：200902222229256208   Reference number：09A0455614

In situ x-ray diffraction study of metal induced crystallization of amorphous germanium

非晶質ゲルマニウムの金属誘起結晶化のその場X線回折研究

Author (6)： KNAEPEN W. (Vakgroep Vaste-stofwetenschappen, Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, 9000 Ghent, BEL) ,  GAUDET S. (Ecole Polytechnique de Montreal, Montreal, Quebec H3T 1J4, CAN) ,  DETAVERNIER C. (Vakgroep Vaste-stofwetenschappen, Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, 9000 Ghent, BEL) ,  VAN MEIRHAEGHE R. L. (Vakgroep Vaste-stofwetenschappen, Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, 9000 Ghent, BEL) ,  SWEET J. Jordan (IBM Thomas J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  LAVOIE C. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 105  Issue： 8  Page： 083532  Publication year： Apr. 15, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *crystallization ,  *amorphous semiconductor ,  *germanium ,  metallic thin film ,  transition metal ,  semiconductor thin film ,  *temperature of crystallization ,  X-ray diffraction ,  test ,  experiment ,  rate of crystallization
Semi thesaurus term： *metal induced crystallization ,  *crystallization temperature ,  crystallization kinetics ,  thickness dependency

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 非晶質 ,  ゲルマニウム ,  金属誘起結晶化 ,  X線回折 ,  研究