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J-GLOBAL ID：200902222639929641   Reference number：03A0218354

Control of Crystal Orientation in Deposited Films of Bismuth Vaporized in Laser and Resistance Heating Methods under a High Magnetic Field.

強磁場下のレーザ及び抵抗加熱法を用いて蒸発したビスマスの堆積膜における結晶方位の制御

Author (4)： TAHASHI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIHARA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SASSA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ASAI S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Materials Transactions  (Mater Trans)
Volume： 44  Issue： 2  Page： 285-289  Publication year： Feb. 20, 2003 
JST Material Number： G0668A  ISSN： 1345-9678  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *bismuth ,...

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JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Reference (14)：

• 1) N. Waki, K. Sassa and S. Asai: Tetsu-to-Hagané 86 (2000) 363–369.
• 2) E. Beaugnon and R. Tournier: Nature 349 (1991) 470.
• 3) F. Gaucherand and E. Beaugnon: Physica B 294–295 (2001) 96–101.
• 4) H. Morikawa, K. Saasa and S. Asai: Mater. Trans., JIM 39 (1998) 814–818.
• 5) H. Yasuda, K. Tokieda and I. Ohnaka: Mater. Trans., JIM 41 (2000) 1005–1021.

Terms in the title (7)： 強磁場 ,  レーザ ,  抵抗加熱法 ,  蒸発 ,  ビスマス ,  堆積 ,  結晶方位