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J-GLOBAL ID：200902222941434520   Reference number：08A0464609

Surface Treatment with Hydrogen of ZnTe

ZnTeの水素による表面処理

Author (8)： KYO KEI (北海道工大 大学院) ,  ICHINOHE YOSHIHIRO (北海道工大 大学院) ,  KANAMORI MASAHIRO (北海道工大 大学院) ,  IMAI KAZUAKI (北海道工大) ,  SAWADA TAKAYUKI (北海道工大) ,  SUZUKI KAZUHIKO (北海道工大) ,  KIMURA NOBUYUKI (北海道工大) ,  KIMURA NAOHITO (北海道工大)
Material： 北海道工業大学研究紀要  (Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology)
Issue： 36  Page： 259-262  Publication year： Mar. 24, 2008 
JST Material Number： Y0585A  ISSN： 0385-0862  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *zinc telluride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *homoepitaxy ,  *surface treatment ,  *Hydrogen ,  *Tungsten ,  filament ,  RHEED ,  X-Ray Diffraction ,  time dependence ,  *substrate (plate)
Semi thesaurus term： thermal cracking ,  ohmic heating ,  X-Ray Diffraction ,  current dependence

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： ZnTe ,  水素 ,  表面処理