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J-GLOBAL ID：200902223474645526   Reference number：05A0267337

GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor with atomic layer deposited Al₂O₃ as gate dielectric

ゲート誘電体として原子層堆積Al₂O₃をもつGaN金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ

Author (7)： YE P D (Agere Systems, Pennsylvania) ,  YANG B (Agere Systems, Pennsylvania) ,  NG K K (Agere Systems, Pennsylvania) ,  BUDE J (Agere Systems, Pennsylvania) ,  WILK G D (ASM America, Arizona) ,  HALDER S (Lehigh Univ., Pennsylvania) ,  HWANG J C M (Lehigh Univ., Pennsylvania)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 6  Page： 063501.1-063501.3  Publication year： Feb. 07, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (4)： Transistors  (NC03070N) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (6)： ゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  Al2O3 ,  GaN ,  酸化物 ,  高電子移動度トランジスタ