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J-GLOBAL ID：200902223635495503   Reference number：05A0581636

Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy

金属有機蒸気相エピタキシーによるGaAsナノワイヤーの触媒無し成長

Author (3)： NOBORISAKA Jinichiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MOTOHISA Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 21  Page： 213102.1-213102.3  Publication year： May. 23, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 蒸気相 ,  エピタキシー ,  GaAs ,  ナノワイヤー ,  触媒 ,  成長