Art

J-GLOBAL ID：200902224359797548   Reference number：06A0655179

High-mobility transparent conductive Zr-doped In2O3

高移動度透明伝導性ZrドープIn₂O₃

Author (2)： KOIDA T. (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...) ,  KONDO M. (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 8  Page： 082104-082104-3  Publication year： Aug. 21, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： transparent material ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0655179&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (3)： 高移動度 ,  Zr ,  ドープ