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J-GLOBAL ID：200902224412287638   Reference number：08A0979151

High power AlGaN/GaN HFET with a high breakdown voltage of over 1.8kV on 4 inch Si substrates and the suppression of current collapse

4インチシリコン基板上の1.8kV以上の高いブレークダウン電圧を持つ高電力AlGaN/GaN HFETおよび電流コラプスの抑制

Author (6)： IKEDA Nariaki (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAYA Syuusuke (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  LI Jiang (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SATO Yoshihiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KATO Sadahiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIDA Seikoh (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 20th  Page： 287-290  Publication year： 2008 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  aluminum nitride ,  *gallium nitride ,  carrier mobility ,  thermal expansion coefficient ,  lattice constant ,  epitaxy ,  buffer layer ,  drain (semiconductor) ,  on resistance ,  electron mobility ,  *aluminum gallium nitride ,  *breakdown voltage
Semi thesaurus term： *AlGaN ,  GAN ,  *HFET ,  epitaxial growth ,  drain current ,  *breakdown voltage

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： シリコン基板 ,  ブレークダウン電圧 ,  高電力 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  電流コラプス