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J-GLOBAL ID：200902224474458900   Reference number：09A0420864

導電性透明高分子/GaN接合によるショットキー型太陽電池の開発

Author (5)： MATSUKI NOBUYUKI (物質・材料研究機構) ,  IROKAWA YOSHIHIRO (物質・材料研究機構) ,  ITAKA KENJI (物質・材料研究機構) ,  KOINUMA HIDEOMI (物質・材料研究機構) ,  SUMIYA MASATOMO (物質・材料研究機構)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 56th  Issue： 1  Page： 418  Publication year： Mar. 30, 2009 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *conducting polymer ,  transparent conducting thin films ,  *solar cell ,  *Schottky barrier ,  current-voltage characteristic ,  poly(ethylenedioxythiophene) ,  compound semiconductor

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (7)： 導電性 ,  高分子 ,  GaN ,  ショット ,  キー ,  太陽電池 ,  開発