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J-GLOBAL ID：200902224823232222   Reference number：09A0125729

C₇₀ close-packed surfaces and single molecule void-formation by local electric field through a scanning tunneling microscope tip

走査型トンネル顕微鏡チップを通じた局所電場によるC₇₀の最密充填表面および単分子ボイド形成

Author (6)： OHTA Yohei (Res. Lab. for Surface Sci., Okayama Univ., Okayama 700-8530, JPN) ,  MITSUHASHI Ryoji (Res. Lab. for Surface Sci., Okayama Univ., Okayama 700-8530, JPN) ,  NOUCHI Ryo (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  FUJIWARA Akihiko (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa 923-1192, JPN) ,  HINO Shojun (Dep. of Materials Sci. and Biotechnology, Ehime Univ., Matsuyama 790-8577, JPN) ,  KUBOZONO Yoshihiro (Res. Lab. for Surface Sci., Okayama Univ., Okayama 700-8530, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 94  Issue： 4  Page： 043107  Publication year： Jan. 26, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *fullerene C70 ,  silicon ,  *covering ,  *crystal structure ,  filling ,  hexagonal system ,  stability ,  nanostructure ,  scanning tunneling microscope ,  *electric field effect ,  evaporation ,  *void (crystal) ,  *close packing

JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 走査型トンネル顕微鏡チップ ,  局所電場 ,  C70 ,  最密充填 ,  単分子 ,  ボイド