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J-GLOBAL ID：200902225070809439   Reference number：04A0813887

120°C 10-Gb/s Uncooled Direct Modulated 1.3-μm AlGaInAs MQW DFB Laser Diodes

120°Cで非冷却の10Gb/sで直接変調した波長1.3μmのAlGaInAs MQW DFBレーザダイオード

Author (9)： TAKAGI K (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  SHIRAI S (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  TATSUOKA Y (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  WATATANI C (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  OTA T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  TAKIGUCHI T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  AOYAGI T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  NISHIMURA T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  TOMITA N (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 16  Issue： 11  Page： 2415-2417  Publication year： Nov. 2004 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...
Semi thesaurus term： 直接変調 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Optical communication systems and equipment  (ND10000B)

Terms in the title (6)： 直接変調 ,  波長 ,  AlGaInAs ,  MQW ,  DFBレーザ ,  ダイオード