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J-GLOBAL ID：200902225903300284   Reference number：03A0863395

High transconductance enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate

SiC基板上の相互コンダクタンスの大きいエンハンスメントモードAlGaN/GaN HEMT

Author (5)： KUMAR V (Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA) ,  KULIEV A (Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA) ,  TANAKA T (Hitachi Cables Ltd., JPN) ,  OTOKI Y (Hitachi Cables Ltd., JPN) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 39  Issue： 24  Page： 1758-1760  Publication year： Nov. 27, 2003 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： SiC基板 ,  相互コンダクタンス ,  エンハンスメントモード ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT