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J-GLOBAL ID：200902226001083295   Reference number：08A0679799

2.33-μm-Wavelength Distributed Feedback Lasers With InAs-In_0.53Ga_0.47As Multiple-Quantum Wells on InP Substrates

InP基板上のInAs-In_0.53Ga_0.47As多重量子井戸を用いた波長2.33μmの分布帰還形レーザ

Author (7)： SATO T. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  MITSUHARA M. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  NUNOYA N. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJISAWA T. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KASAYA K. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KANO F. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KONDO Y. (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 20  Issue： 9/12  Page： 1045-1047  Publication year： May. 01, 2008 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *distributed feedback laser ,  Carbon Monoxide ,  *quantum well laser ,  single mode ,  epitaxy ,  infrared laser ,  indium phosphide ,  indium arsenide ,  indium gallium arsenide ,  multiquantum well laser
Semi thesaurus term： epitaxial growth

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (5)： InP ,  InAs ,  多重量子井戸 ,  波長 ,  分布帰還形レーザ