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J-GLOBAL ID：200902226282744295   Reference number：03A0538758

Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO₂

SiO₂上に形成したNb[110]障壁上のCu[111]層の構造解析

Author (6)： MANIRUZZAMAN M (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  TAKEYAMA M B (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  HAYASAKA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AOYAGI E (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHSUNA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NOYA A (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 103  Issue： 162(SDM2003 74-92)  Page： 19-22  Publication year： Jun. 30, 2003 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： diffusion barrier ,...

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Terms in the title (6)： SiO2 ,  Nb ,  障壁 ,  Cu ,  層 ,  構造解析