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J-GLOBAL ID：200902226447456567   Reference number：09A0644250

Breakdown Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in Silicon by Improving the GaN Quality on Thick Buffer Layers

厚いバッファ層上のGaN品質の改善による4inシリコン上のAlGaN/GaN HEMTの降伏電圧向上

Author (3)： SELVARAJ Susai Lawrence (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SUZUE Takaaki (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 30  Issue： 6  Page： 587-589  Publication year： Jun. 2009 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thickness of strata ,  buffer layer ,  gallium nitride ,  improvement ,  silicon ,  wafer ,  nitride ,  gallium compound ,  aluminum compound ,  *HEMT ,  voltage ,  quality improvement ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： breakdown voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： バッファ層 ,  GaN ,  シリコン ,  AlGaN ,  HEMT ,  降伏電圧