Art

J-GLOBAL ID：200902226820820940   Reference number：04A0746217

Critical review of the current status of thickness measurements for ultrathin SiO₂ on Si Part V: Results of a CCQM pilot study

Si上のSiO₂超薄膜の厚さ測定に関する現状の批判的総括 V CCQMの先導研究結果

Author (9)： SEAH M P (National Physical Lab., Middlesex, GBR) ,  BENSEBAA F (National Res. Council of Canada, ON, CAN) ,  VICKRIDGE I (Univ. Paris 6 et 7, Paris, FRA) ,  DANZEBRINK H (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Braunschweig, DEU) ,  KRUMREY M (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Berlin-Charlottenburg, DEU) ,  GROSS T (Bundesanstalt fuer Materialforsch. und -pruefung (BAM), Berlin, DEU) ,  WENDLER E (Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU) ,  RHEINLAENDER B (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  AZUMA Y (AIST, Ibaraki, JPN)
Material： Surface and Interface Analysis  (SIA)
Volume： 36  Issue： 9  Page： 1269-1303  Publication year： Sep. 2004 
JST Material Number： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon dioxide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0746217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0709A") }}

JST classification (3)： Nonmetallic compounds  (CD01070R) ,  Physical analysis in general  (CC03011F) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： Si ,  SiO2 ,  超薄膜 ,  厚さ測定 ,  現状 ,  研究