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J-GLOBAL ID：200902227311361623   Reference number：05A0909573

Analysis of the Scaling Feasibility in Strained Si Device Including Current Direction Dependencies

電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討

Author (4)： TANABE RYO (富士通研) ,  YAMASAKI TAKAHIRO (富士通研) ,  ASHIZAWA YOSHIO (富士通研) ,  OKA HIDEKI (富士通研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 105  Issue： 310(SDM2005 161-172)  Page： 25-30  Publication year： Sep. 20, 2005 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor device ,...
Semi thesaurus term： シリコン

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JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Measuring methods and instruments of force,work load,pressure,friction  (AD05050V)

Terms in the title (3)： 歪み ,  Si ,  スケーリング