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J-GLOBAL ID：200902227942047734   Reference number：03A0709623

Effect of uniaxial stress on photoluminescence in GaN and stimulated emission in In_xGa_1-xN/GaN multiple quantum wells.

GaNの光ルミネセンスとIn_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸の誘導放出に対する1軸応力効果

Author (4)： ICHIMIYA M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  WATANABE M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OHATA T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HAYASHI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 68  Issue： 3  Page： 035328.1-035328.7  Publication year： Jul. 2003 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： valence band

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： GaN ,  光ルミネセンス ,  多重量子井戸 ,  誘導放出 ,  1軸 ,  応力効果