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J-GLOBAL ID：200902228265349792   Reference number：07A1199596

Progress in Spin Transfer Torque MRAM (SpRAM) Development

ライバル技術との競争を勝ち抜く スピン注入型MRAMの実現を目指して

Author (6)： HOSOMI MASANORI (ソニー 情報技研) ,  YAMAMOTO TETSUYA (ソニー 情報技研) ,  HIGO YUTAKA (ソニー 情報技研) ,  YAMANE KAZUAKI (ソニー 情報技研) ,  OISHI YUKI (ソニー 情報技研) ,  KANO HIROSHI (ソニー 情報技研)
Material： まぐね  (Magnetics Japan)
Volume： 2  Issue： 12  Page： 606-614  Publication year： Dec. 01, 2007 
JST Material Number： L5842A  ISSN： 1880-7208  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： ferroelectric RAM ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (23)：

• MIYAZAKI, T. J. Magn. Magn. Mat. 1995, 139, L231
• http://www.itrs.net/reports.html. 2007
• Freescale Semiconductor. MR2A16A data sheet
• SLONCZEWSKI, J. C. J. Magn. Magn. Mat. 1996, 159, L1
• BERGER, L. Phys. Rev. B. 1996, 54, 9353

Terms in the title (3)： 競争 ,  スピン注入 ,  MRAM