Art

J-GLOBAL ID：200902228896223057   Reference number：04A0382369

Room-temperature deep-ultraviolet lasing at 241.5nm of AlGaN multiple-quantum-well laser

AlGaN多重量子井戸レーザに関する241.5nmでの室温深紫外レーザ発振

Author (4)： TAKANO T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NARITA Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HORIUCHI A (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 84  Issue： 18  Page： 3567-3569  Publication year： May. 03, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： AlGaN ,  多重量子井戸レーザ ,  室温 ,  深紫外 ,  レーザ発振