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J-GLOBAL ID：200902229251607086   Reference number：06A0416371

Hooge’s constant for carbon nanotube field effect transistors

カーボンナノチューブ電界効果トランジスターのHooge定数

Author (6)： ISHIGAMI Masa (Dep. of Physics, Univ. of Maryland, Coll. Park, Coll. Park, Maryland 20742) ,  CHEN J. H. (Dep. of Physics, Univ. of Maryland, Coll. Park, Coll. Park, Maryland 20742) ,  WILLIAMS E. D. (Dep. of Physics, Univ. of Maryland, Coll. Park, Coll. Park, Maryland 20742) ,  TOBIAS David (Dep. of Physics and Center for Superconductivity Res., Univ. of Maryland, Coll. Park, Coll. Park, Maryland 20742) ,  CHEN Y. F. (Dep. of Physics and Center for Superconductivity Res., Univ. of Maryland, Coll. Park, Coll. Park, Maryland 20742) ,  FUHRER M. S. (Dep. of Physics and Center for Superconductivity Res., Univ. of Maryland, Coll. Park, Coll. Park, Maryland 20742)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 20  Page： 203116-203116-3  Publication year： May. 15, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： Hooge定数

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： カーボンナノチューブ電界効果トランジスター ,  定数