Art

J-GLOBAL ID：200902229264856875   Reference number：03A0486763

Growth of c-axis oriented GaN films on quartz by pulsed laser deposition.

パルスレーザ堆積による石英上のc軸配向GaN膜の成長

Author (3)： WANG R-P (AIST, Nagoya, JPN) ,  MUTO H (AIST, Nagoya, JPN) ,  KUSUMORI T (AIST, Nagoya, JPN)
Material： Optical Materials  (Opt Mater)
Volume： 23  Issue： 1/2  Page： 15-20  Publication year： Jul. 2003 
JST Material Number： W0468A  ISSN： 0925-3467  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (5)： パルスレーザ堆積 ,  石英 ,  c軸配向 ,  GaN ,  成長