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J-GLOBAL ID：200902231133578017   Reference number：06A0911071

Growth process of β-FeSi₂ epitaxial film on Si(111) by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタキシーによるSi(111)上のβ-FeSi₂エピタキシャル膜の成長過程

Author (4)： JI S.y. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  WANG J.f. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  LIM J.-w. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  ISSHIKI M. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 253  Issue： 2  Page： 444-448  Publication year： Nov. 15, 2006 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： iron compound ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 分子ビームエピタキシー ,  Si ,  エピタキシャル膜 ,  成長過程