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J-GLOBAL ID：200902231804124636   Reference number：07A0367043

Hafnium zirconate gate dielectric for advanced gate stack applications

先進ゲートスタック用のジルコニウム酸ハフニウムゲート絶縁体

Author (4)： HEGDE R. I. (Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721) ,  TRIYOSO D. H. (Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721) ,  SAMAVEDAM S. B. (Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721) ,  WHITE B. E. (Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 101  Issue： 7  Page： 074113-074113-7  Publication year： Apr. 01, 2007 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： forbidden band ,...

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JST classification (3)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： ゲートスタック ,  ジルコニウム酸 ,  ハフニウム ,  ゲート絶縁体