Art

J-GLOBAL ID：200902231991247789   Reference number：03A0709549

Microscopic adsorption process of CO on Si(100)c(4×2) by means of low-temperature scanning tunneling microscopy.

低温走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)c(4×2)上のCOの微視的な吸着過程

Author (4)： YAMASHITA Y (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  HOSSAIN M Z (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MUKAI K (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YOSHINOBU J (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 68  Issue： 3  Page： 033314.1-033314.4  Publication year： Jul. 2003 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： valence band

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0709549&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

JST classification (1)： Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Terms in the title (5)： 低温 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  Si ,  CO ,  吸着過程