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J-GLOBAL ID：200902234042192573   Reference number：09A0934594

Analysis of NMOS and PMOS Difference in V_T Variation With Large-Scale DMA-TEG

大規模DMA-TEGのV_T変化におけるNMOS及びPMOS差の解析

Author (4)： TSUNOMURA Takaaki (Millennium Res. Advanced Information Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(MIRAI-Selete), Tsukuba, JPN) ,  NISHIDA Akio (Millennium Res. Advanced Information Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(MIRAI-Selete), Tsukuba, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Millennium Res. Advanced Information Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(MIRAI-Selete), Tsukuba, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 56  Issue： 9  Page： 2073-2080  Publication year： Sep. 2009 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *voltage ,  MOSFET ,  *NMOS structure ,  MOS structure ,  channel ,  *dopant ,  fluctuation ,  fluctuation and variation ,  boron ,  scaling ,  VLSI ,  *PMOS structure ,  *threshold voltage
Semi thesaurus term： ultra large scale integration

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： 大規模 ,  DMA ,  TEG ,  VT ,  NMOS ,  PMOS ,  解析