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J-GLOBAL ID：200902234152347734   Reference number：04A0803843

Annealing Effects on Electroluminescence and Laser Operation of InGaAsSbN Quantum Well Diodes grown on InP Substrates

InP基板上に成長したInGaAsSbN量子井戸ダイオードについてエレクトロルミネセンスとレーザ発振におよぼすアニーリング効果

Author (3)： KAWAMURA Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAGAWA T (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE N (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 10A  Page： L1320-L1322  Publication year： Oct. 01, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (18)：

• 1) K. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 2) H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama and A. Kasukawa: IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 7 (2001) 355.
• 3) S. R. Bank, M. A. Wistery, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha and J. S. Harris, Jr.: Electron. Lett. 39 (2003) 1445.
• 4) M. R. Gokhale, J. Wei, H. Wang and S. R. Forrest: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1287.
• 5) A. Ubukata, J. Dong, K. Matsumoto and Y. Ishihara: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 5962.

Terms in the title (7)： InP ,  成長 ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  レーザ発振 ,  アニーリング効果