Art

J-GLOBAL ID：200902234387397852   Reference number：06A1022350

Pulsed 0.75kW output single-ended GaN-FET amplifier for L/S band applications

L/Sバンド応用のための0.75kWパルス出力シングルエンドGaN-FET増幅器

Author (9)： WAKEJIMA A. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  NAKAYAMA T. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  OTA K. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  OKAMOTO Y. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  ANDO Y. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KURODA N. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  TANOMURA M. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  MATSUNAGA K. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  MIYAMOTO H. (R&D Assoc. Future Electron Devices, Shiga, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 42  Issue： 23  Page： 1349-1350  Publication year： Nov. 09, 2006 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： GAN

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JST classification (1)： Amplification circuits  (NC05040U)

Terms in the title (6)： Sバンド ,  応用 ,  パルス ,  GaN ,  FET ,  増幅器