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J-GLOBAL ID：200902234932216860   Reference number：09A0344767

COMPOUND SEMICONDUCTOR InSb CRYSTAL GROWTH AND ITS ESTIMATION FOR THE SUBSTRATE OF RADIATION DETECTORS

化合物半導体InSb結晶成長と化合物放射線検出器の基板に対するその評価

Author (3)： KAMIKAWA Naoki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MORITA Yasunari (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KANNO Ikuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： KEK Proceedings  (KEK Proc)
Issue： 2008-14  Page： 86-90  Publication year： Jan. 2009 
JST Material Number： L1349A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： single crystal ,  substrate(plate) ,  current-voltage characteristic ,  temperature distribution ,  electrical resistivity ,  *indium antimonide ,  *semiconductor radiation detector ,  compound semiconductor ,  *zone melting ,  Hall effect

JST classification (1)： Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Terms in the title (5)： 化合物半導体 ,  InSb ,  結晶成長 ,  放射線検出器 ,  評価