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J-GLOBAL ID：200902234961569306   Reference number：05A0703697

Carbon Nanotube Growth Technologies Using Tantalum Barrier Layer for Future ULSIs with Cu/Low-k Interconnect Processes

Cu/low-k相互接続プロセスによる将来のULSI用のタンタル障壁層を使うカーボンナノチューブ成長技術

Author (10)： HORIBE Masahiro (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HORIBE Masahiro (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NIHEI Mizuhisa (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NIHEI Mizuhisa (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KONDO Daiyu (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KONDO Daiyu (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAWABATA Akio (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAWABATA Akio (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  AWANO Yuji (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  AWANO Yuji (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 7A  Page： 5309-5312  Publication year： Jul. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： copper ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (11)：

• 1) International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS2003) (Semiconductor Industry Association, San Jose, CA, 2003).
• 2) Z. Yao, C. L. Kane and C. Dekker: Phys. Rev. Lett. 84 (2000) 2941.
• 3) P. Kim, L. Shi, A. Majumdar and P. L. McEuen: Phys. Rev. Lett. 87 (2001) 215502.
• 4) R. S. Ruoff, D. Qian and W. K. Liu: C. R. Phys. 4 (2003) 993.
• 5) W. Hoenlein: Proc. Int. Microprocesses and Nanotechology Conf. 2001, 2001, p. 76.

Terms in the title (8)： Cu ,  相互接続 ,  プロセス ,  ULSI ,  タンタル ,  障壁層 ,  カーボンナノチューブ ,  成長