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J-GLOBAL ID：200902235333711094   Reference number：08A0277142

Rectifying current-voltage characteristics of BiFeO3/Nb-doped SrTiO3 heterojunction

BiFeO₃/NbのドープされたSrTiO₃から成るヘテロ接合に関する整流性電流-電圧特性

Author (10)： YANG H. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  LUO H. M. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  WANG H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M Univ., Coll. Station, Texas 77843-3128, USA) ,  USOV I. O. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  SUVOROVA N. A. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  JAIN M. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  FELDMANN D. M. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  DOWDEN P. C. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  DEPAULA R. F. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...) ,  JIA Q. X. (Superconductivity Technol. Center, Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 10  Page： 102113  Publication year： Mar. 10, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *bismuth compound ,  *ferrate ,  niobium ,  doping ,  *strontium titanate ,  *heterojunction ,  rectification (electric) ,  current-voltage characteristic ,  pulsed laser irradiation ,  laser deposition ,  preferred orientation ,  epitaxy ,  semiconductor thin film ,  substrate (plate) ,  vacancy ,  P-type semiconductor ,  N-type semiconductor ,  PN junction ,  capacitance-voltage characteristic ,  potential ,  compound semiconductor

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Terms in the title (6)： BiFeO3 ,  Nb ,  ドープ ,  ヘテロ接合 ,  整流 ,  電圧特性