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J-GLOBAL ID：200902235878763954   Reference number：07A0229068

Electrostatic modification of novel materials

新物質の静電調整

Author (13)： AHN C. H. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  BHATTACHARYA A. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  DI VENTRA M. (Univ. California San Diego, California, USA) ,  ECKSTEIN J. N. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  FRISBIE C. DANIEL (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  GERSHENSON M. E. (State Univ. New Jersey, New Jersey, USA) ,  GOLDMAN A. M. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  INOUE I. H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  MANNHART J. (Augsburg Univ., Augsburg, DEU) ,  MILLIS ANDREW J. (Columbia Univ., New York, USA) ,  MORPURGO ALBERTO F. (Delft Univ., Delft, NLD) ,  NATELSON DOUGLAS (Rice Univ., Texas, USA) ,  TRISCONE JEAN-MARC (Ecole de Physique, Geneve, CHE)
Material： Reviews of Modern Physics  (Rev Mod Phys)
Volume： 78  Issue： 4  Page： 1185-1212  Publication year： Oct. 2006 
JST Material Number： D0518A  ISSN： 0034-6861  CODEN： RMPHAT  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *doping ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in general  (BK12010J) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (1)： 物質