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J-GLOBAL ID：200902236140458517   Reference number：08A0233785

Use of Negative Capacitance to Provide Voltage Amplification for Low Power Nanoscale Devices

負性容量を使った低出力ナノスケール・デバイスの電圧増幅

Author (2)： SALAHUDDIN Sayeef (Purdue Univ., Indiana) ,  DATTA Supriyo (Purdue Univ., Indiana)
Material： Nano Letters  (Nano Lett)
Volume： 8  Issue： 2  Page： 405-410  Publication year： Feb. 2008 
JST Material Number： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  gate (semiconductor) ,  insulating material ,  *ferroelectricity ,  *SIS structure ,  threshold ,  voltage ,  output ,  Feedback ,  electrostatic capacity ,  barium titanate ,  signal amplification ,  insulator ,  *negative capacitance
Semi thesaurus term： *電圧増幅 ,  *負性容量

JST classification (4)： Other physical chemistry in general  (CB01030T) ,  Other contacts of semiconductors  (BM03086O) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Transformers  (NB08020Q)

Terms in the title (4)： 負性容量 ,  低出力 ,  ナノスケール ,  増幅