Art

J-GLOBAL ID：200902237235791147   Reference number：09A0361475

Trapping High-Pressure Nanophase of Ge upon Laser Ablation in Liquid

液体中でのレーザアブレーションによるGeの高圧ナノ相の捕獲

Author (4)： LIU P (Zhongshan Univ., Guangzhou, CHN) ,  CAO Y. L. (Zhongshan Univ., Guangzhou, CHN) ,  CHEN X. Y. (Zhongshan Univ., Guangzhou, CHN) ,  YANG G. W. (Zhongshan Univ., Guangzhou, CHN)
Material： Crystal Growth & Design  (Cryst Growth Des)
Volume： 9  Issue： 3  Page： 1390-1393  Publication year： Mar. 2009 
JST Material Number： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Germanium ,  *laser ablation ,  pulsed laser irradiation ,  metastable state ,  *tetragonal system ,  *nano crystal ,  X-Ray Diffraction ,  electron microscopy ,  Raman spectrum ,  diamond type crystal ,  first principle ,  selected-area electron diffraction ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  alkylbenzene

JST classification (3)： Photochemistry in general  (CB08010U) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Atomic and molecular clusters  (BH09030O)

Substance index (1)： Toluene

Terms in the title (5)： 液体中 ,  レーザアブレーション ,  Ge ,  高圧 ,  捕獲