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J-GLOBAL ID：200902237681523857   Reference number：09A1277560

Wide-band-gap gallium oxide semiconductors.

ワイドバンドギャップ酸化ガリウム半導体

Author (3)： FUJITA SHIZUO (京大 光・電子理工学教育研究セ) ,  OSHIMA TAKAYOSHI (京大 光・電子理工学教育研究セ) ,  KANEKO KENTARO (京大 光・電子理工学教育研究セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 78  Issue： 12  Page： 1150-1154  Publication year： Dec. 10, 2009 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *band gap ,  *gallium oxide ,  *substrate(plate) ,  single crystal ,  *ultraviolet detector ,  MBE growth ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *homoepitaxy ,  *solid solution ,  spintronics ,  multilayer film ,  doping ,  *material ,  magnetoelectric effect
Semi thesaurus term： *wide band gap ,  *multi-ferroic

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  Magnetic properties of oxides  (BM06050E)

Reference (32)：

• KOKUBUN, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 031912
• CHEN, C.-Cheng. J. Mater. Res. 2004, 19, 1105
• OGITA, M. Appl. Surf. Sci. 2001, 175, 721
• MATSUZAKI, K. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 092106
• HAYASHI, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 181903

Terms in the title (2)： ワイドバンドギャップ ,  酸化ガリウム