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J-GLOBAL ID：200902238331536251   Reference number：05A0154226

A Novel Multi-channel Field Effect Transistor (McFET) on Bulk Si for High Performance Sub-80nm Application

高性能サブ80nm用途のためのバルクSi上新型マルチチャネル電界効果トランジスタ(McFET)

Author (9)： KIM S M (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  YOON E J (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  JO H J (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  LI M (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  OH C W (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  LEE S Y (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  YEO K H (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM M S (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM S H (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2004  Page： 639-642  Publication year： 2004 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SRAM ,...
Semi thesaurus term： McFET ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 高性能 ,  サブ ,  用途 ,  バルク ,  Si ,  マルチチャネル ,  電界効果トランジスタ