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J-GLOBAL ID：200902239475436363   Reference number：07A0067474

Alpha-Induced Multiple Cell Upsets in Standard and Radiation Hardened SRAMs Manufactured in a 65nm CMOS Technology

65nm CMOS技術で製造された標準および耐放射線SRAMにおけるアルファ誘起マルチセルアプセット

Author (3)： GASIOT G. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GIOT D. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ROCHE P. (STMicroelectronics, Crolles, FRA)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 53  Issue： 6,Pt.1  Page： 3479-3486  Publication year： Dec. 2006 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： CMOS process ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： CMOS技術 ,  標準 ,  放射線 ,  SRAM ,  誘起